Publikationsserver
Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолч: | |
|---|---|
| Бусад зохиолчид: | |
| Формат: | Dissertation |
| Хэл сонгох: | герман |
| Хэвлэсэн: |
Philipps-Universität Marburg
2013
|
| Нөхцлүүд: | |
| Онлайн хандалт: | PDF-н бүрэн текст |
| Шошгууд: |
Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
|
Хамгийн түрүүнд сэтгэгдэл үлдээх!