Publikationsserver
Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Այլ հեղինակներ: | |
| Ձևաչափ: | Dissertation |
| Լեզու: | գերմաներեն |
| Հրապարակվել է: |
Philipps-Universität Marburg
2013
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | PDF ամբողջական տեքստ |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Եղիր առաջինը, ով թողնում է մեկնաբանություն!