Publikationsserver
Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
Gardado en:
| Autor Principal: | |
|---|---|
| Outros autores: | |
| Formato: | Dissertation |
| Idioma: | alemán |
| Publicado: |
Philipps-Universität Marburg
2013
|
| Schlagworte: | |
| Acceso en liña: | Texto completo PDF |
| Tags: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
Sexa o primeiro en deixar un comentario!