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Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
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| Κύριος συγγραφέας: | |
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| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | Dissertation |
| Γλώσσα: | Γερμανικά |
| Έκδοση: |
Philipps-Universität Marburg
2013
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| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | Πλήρες κείμενο PDF |
| Ετικέτες: |
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