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Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
Wedi'i Gadw mewn:
| Prif Awdur: | |
|---|---|
| Awduron Eraill: | |
| Fformat: | Dissertation |
| Iaith: | Almaeneg |
| Cyhoeddwyd: |
Philipps-Universität Marburg
2013
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| Pynciau: | |
| Mynediad Ar-lein: | Testun PDF llawn |
| Tagiau: |
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