Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả khác: | |
Định dạng: | Dissertation |
Ngôn ngữ: | Tiếng Đức |
Được phát hành: |
Philipps-Universität Marburg
2013
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | Bài toàn văn PDF |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|