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Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
Shranjeno v:
| Glavni avtor: | |
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| Drugi avtorji: | |
| Format: | Dissertation |
| Jezik: | nemščina |
| Izdano: |
Philipps-Universität Marburg
2013
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| Teme: | |
| Online dostop: | PDF-Volltext |
| Oznake: |
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