Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
Sábháilte in:
Príomhchruthaitheoir: | |
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Rannpháirtithe: | |
Formáid: | Dissertation |
Teanga: | Gearmáinis |
Foilsithe / Cruthaithe: |
Philipps-Universität Marburg
2013
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Ábhair: | |
Rochtain ar líne: | An téacs iomlán mar PDF |
Clibeanna: |
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