Publikationsserver
Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
में बचाया:
| मुख्य लेखक: | |
|---|---|
| अन्य लेखक: | |
| स्वरूप: | Dissertation |
| भाषा: | जर्मन |
| प्रकाशित: |
Philipps-Universität Marburg
2013
|
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | पीडीएफ पूर्ण पाठ |
| टैग: |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
No references were found for this record.