Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...

Description complète

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteur principal: Zimprich, Martin
Autres auteurs: Stolz, W. (Dr.) (Directeur de thèse)
Format: Dissertation
Langue:allemand
Publié: Philipps-Universität Marburg 2013
Sujets:
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Ga(NAsP)
Semiconductor lasers; laser diodes
OEIC
Röntgendiffraktometrie
(BGa)P
silicon photonics
(BGa)(AsP)
Photolumineszenz
Laser ,
MOCVD-Verfahren
integrierter Halbleiterlaser
Tempern
Physik
Photolumineszenzspektroskopie
Physics
Accès en ligne:Texte intégral en PDF
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
No references were found for this record.

Documents similaires