Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...

Descripció completa

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
Autor principal: Zimprich, Martin
Altres autors: Stolz, W. (Dr.) (Assessor de tesis)
Format: Dissertation
Idioma:alemany
Publicat: Philipps-Universität Marburg 2013
Matèries:
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Ga(NAsP)
Semiconductor lasers; laser diodes
OEIC
Röntgendiffraktometrie
(BGa)P
silicon photonics
(BGa)(AsP)
Photolumineszenz
Laser ,
MOCVD-Verfahren
integrierter Halbleiterlaser
Tempern
Physik
Photolumineszenzspektroskopie
Physics
Accés en línia:PDF a text complet
Etiquetes: Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
No references were found for this record.

Ítems similars