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Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen
Eine mikroskopische Vielteilchentheorie wird auf verschiedenste Materialsysteme angewendet, die als Verstärkungselement den Grundbaustein von Halbleiterlasersystemen bilden. Das Verständnis der mikroskopischen Prozesse und ihre Modellierung ermöglichen die Analyse und quantitative Prognose optoelekt...
Gorde:
| Egile nagusia: | |
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| Beste egile batzuk: | |
| Formatua: | Dissertation |
| Hizkuntza: | alemana |
| Argitaratua: |
Philipps-Universität Marburg
2011
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| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | PDF testu osoa |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
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| Gaia: | Eine mikroskopische Vielteilchentheorie wird auf verschiedenste Materialsysteme angewendet, die als Verstärkungselement den Grundbaustein von Halbleiterlasersystemen bilden. Das Verständnis der mikroskopischen Prozesse und ihre Modellierung ermöglichen die Analyse und quantitative Prognose optoelektronischer Eigenschaften, die das Laserverhalten maßgeblich bestimmen. Mit dem Modell lassen sich Materialeigenschaften treffend simulieren, wie umfassende Theorie-Experiment-Vergleiche zeigen. Die Untersuchung von Absorption, optischer Verstärkung, Lumineszenz und intrinsischen Ladungsträgerverlusten durch strahlende sowie Auger-Rekombination bildet den Leitfaden zur Charakterisierung verschiedenster Halbleiterverstärkungsmedien. Darauf aufbauend werden nicht nur Lasereigenschaften wie Emissionswellenlängen und Schwellenverhalten berechenbar, sondern es lassen sich auch unbekannte und experimentell schwer zugängliche Strukturparameter bestimmen. So können Konzepte erarbeitet werden, mit denen Laserdesigns mit Blick auf die Anforderungen spezifischer Anwendungen hin optimiert und weiterentwickelt werden können, und mit denen neuartige Lasersysteme auf ihr Anwendungspotential hin eingeschätzt und bewertet werden können. |
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| DOI: | 10.17192/z2011.0046 |