Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen

Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen

Eine mikroskopische Vielteilchentheorie wird auf verschiedenste Materialsysteme angewendet, die als Verstärkungselement den Grundbaustein von Halbleiterlasersystemen bilden. Das Verständnis der mikroskopischen Prozesse und ihre Modellierung ermöglichen die Analyse und quantitative Prognose optoelekt...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Bückers, Christina
Tác giả khác: Koch, Stephan W. (Prof. Dr.) (Cố vấn luận án)
Định dạng: Dissertation
Ngôn ngữ:Tiếng Đức
Được phát hành: Philipps-Universität Marburg 2011
Những chủ đề:
Efficiency, stability, gain, and other operational parameters
Modellierung
Theory, models, and numerical simulation
GaAsBi
Luminescence
Semiconductor laser modelling
Optischer Gewinn
AlGaInAs
Modulation spectroscopy
Modulationsspektroskopie
Halbleiterlaser
Lumineszenz
Semiconductor lasers; laser diodes
AlGaInAsSb, GaNAsP
Auger-recombination
Auger-Rekombination
Quantum well devices (quantum dots, quantum wires, etc.)
III-V semiconductors
Optical gain
Physik
Physics
Truy cập trực tuyến:Bài toàn văn PDF
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Internet

Bài toàn văn PDF

Chi tiết quỹ từ
Số hiệu: urn:nbn:de:hebis:04-z2011-00466
Ngày xuất bản: 2011-01-20
Datum der Annahme: 2010-12-03
Downloads: 64 (2024), 88 (2023), 122 (2022), 69 (2021), 65 (2020), 58 (2019), 64 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Địa chỉ truy cập: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2011/0046
https://doi.org/10.17192/z2011.0046

Những quyển sách tương tự