Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen

Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen

Eine mikroskopische Vielteilchentheorie wird auf verschiedenste Materialsysteme angewendet, die als Verstärkungselement den Grundbaustein von Halbleiterlasersystemen bilden. Das Verständnis der mikroskopischen Prozesse und ihre Modellierung ermöglichen die Analyse und quantitative Prognose optoelekt...

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Detalhes bibliográficos
Autor principal: Bückers, Christina
Outros Autores: Koch, Stephan W. (Prof. Dr.) (Orientador)
Formato: Dissertation
Idioma:alemão
Publicado em: Philipps-Universität Marburg 2011
Assuntos:
Efficiency, stability, gain, and other operational parameters
Modellierung
Theory, models, and numerical simulation
GaAsBi
Luminescence
Semiconductor laser modelling
Optischer Gewinn
AlGaInAs
Modulation spectroscopy
Modulationsspektroskopie
Halbleiterlaser
Lumineszenz
Semiconductor lasers; laser diodes
AlGaInAsSb, GaNAsP
Auger-recombination
Auger-Rekombination
Quantum well devices (quantum dots, quantum wires, etc.)
III-V semiconductors
Optical gain
Physik
Physics
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Detalhes do Exemplar
Número de Chamada: urn:nbn:de:hebis:04-z2011-00466
Data de Publicação: 2011-01-20
Datum der Annahme: 2010-12-03
Downloads: 64 (2024), 88 (2023), 122 (2022), 69 (2021), 65 (2020), 58 (2019), 64 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Acessar a URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2011/0046
https://doi.org/10.17192/z2011.0046

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