Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen

Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen

Eine mikroskopische Vielteilchentheorie wird auf verschiedenste Materialsysteme angewendet, die als Verstärkungselement den Grundbaustein von Halbleiterlasersystemen bilden. Das Verständnis der mikroskopischen Prozesse und ihre Modellierung ermöglichen die Analyse und quantitative Prognose optoelekt...

Бүрэн тодорхойлолт

-д хадгалсан:
Номзүйн дэлгэрэнгүй
Үндсэн зохиолч: Bückers, Christina
Бусад зохиолчид: Koch, Stephan W. (Prof. Dr.) (Дипломын ажлын зөвлөх)
Формат: Dissertation
Хэл сонгох:герман
Хэвлэсэн: Philipps-Universität Marburg 2011
Нөхцлүүд:
Efficiency, stability, gain, and other operational parameters
Modellierung
Theory, models, and numerical simulation
GaAsBi
Luminescence
Semiconductor laser modelling
Optischer Gewinn
AlGaInAs
Modulation spectroscopy
Modulationsspektroskopie
Halbleiterlaser
Lumineszenz
Semiconductor lasers; laser diodes
AlGaInAsSb, GaNAsP
Auger-recombination
Auger-Rekombination
Quantum well devices (quantum dots, quantum wires, etc.)
III-V semiconductors
Optical gain
Physik
Physics
Онлайн хандалт:PDF-н бүрэн текст
Шошгууд: Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!

Интернэт

PDF-н бүрэн текст

-с авсан түр хойшлуулсан зүйлсийн дэлгэрэнгүй мэдээлэл
Зохиогчийн тэмдэгт: urn:nbn:de:hebis:04-z2011-00466
Хэвлэлийн огноо: 2011-01-20
Datum der Annahme: 2010-12-03
Downloads: 64 (2024), 88 (2023), 122 (2022), 69 (2021), 65 (2020), 58 (2019), 64 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Хандалтын URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2011/0046
https://doi.org/10.17192/z2011.0046

Ижил төстэй зүйлс