Terahertz-Antwort von zweidimensionalen Ladungsträgersystemen in GaAs-basierten Heterostrukturen

Terahertz-Antwort von zweidimensionalen Ladungsträgersystemen in GaAs-basierten Heterostrukturen

Die vorliegende Dissertation befasst sich mit der THz-Antwort zweidimensionaler Ladungsträgersysteme in verschiedenen Halbleiterheterostrukturen unter wechselnden Bedingungen. Zur Durchführung der Experimente wird ein Spektrometer verwendet, welches in Kombination sowohl zeitaufgelöste Optische-Anre...

Täydet tiedot

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Grunwald, Torben
Muut tekijät: Chatterjee, Sangam (Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Aineistotyyppi: Dissertation
Kieli:saksa
Julkaistu: Philipps-Universität Marburg 2009
Aiheet:
Electron gas, Heterostructure
Halbleiter
Terahertz Spektroskopie
Niederdimensionaler Halbleiter
Electron states at surfaces and interfaces
Heterostruktur
Elektro
Terahertz
Optical properties of specific thin films (for optical properties of low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale materials, see 78.67.-n; for optical properties of surfaces, see 78.68.+m)
Plasma
High-frequency effects; plasma effects
Dielektrische Funktion
Terahertz response
Elektron-Loch-Plasma
Terahertz-Antwort
Terahertz spectroscopy
III-V semiconductors
Physik
Physics
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1. Control of Optically Induced Currents in Semiconductor Crystals

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