Palladiumreiche Telluride

Die palladiumreichen Telluride Pd13Te3, Pd{20-X}Te7, Pd8Te3 und Pd5Te2 wurden im Rahmen dieser Arbeit hergestellt und strukturell charakterisiert. Hindernisse bei der Kristallzucht, die durch das thermische und kinetische Verhalten der Verbindungen bedingt sind, wurden durch Kristallzucht mittels c...

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Main Author: Janetzky, Manuel
Contributors: Harbrecht, Bernd (Prof. Dr.) (Thesis advisor)
Format: Doctoral Thesis
Language:German
Published: Philipps-Universität Marburg 2008
Subjects:
Online Access:PDF Full Text
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Description
Summary:Die palladiumreichen Telluride Pd13Te3, Pd{20-X}Te7, Pd8Te3 und Pd5Te2 wurden im Rahmen dieser Arbeit hergestellt und strukturell charakterisiert. Hindernisse bei der Kristallzucht, die durch das thermische und kinetische Verhalten der Verbindungen bedingt sind, wurden durch Kristallzucht mittels chemischen Transports umgangen. Zusätzlich wurde durch Synthese von Pd4Br4Te3 erstmals über eine Festphasensynthese Zugang zu einem weiteren Platinmetallhalogenidchalkogenid geschaffen. Die Synthese der Palladiumtelluride erfolgte bei Temperaturen im Bereich von 730~K bis 1200~K unter Zusatz von Palladiumchlorid oder Palladiumbromid in evakuierten Quarzglasampullen. Röntgen-Pulverdiffraktometrie wurde zur Phasenanalyse, in Kombination mit Thermoanalyse zur Ermittlung des thermischen Verhaltens einzelner Phasen und der Phasenbeziehungen herangezogen. Die strukturelle Charakterisierung erfolgte mittels Rönt-gen-Einkristallbeugungsmethoden. Die Strukturen wurden zu einfachen Strukturtypen in Beziehung gesetzt, wenn möglich mittels Gruppe-Untergruppe-Analyse. Temperaturabhängige Leitfähigkeitsmessungen und magnetische Messungen gestatteten die Ermittlung der Eigenschaften einzelner Verbindungen. XANES-Untersuchungen an Pd4Br4Te3 und Referenzsubstanzen gaben Aufschluß über die Valenzzustände der Komponenten in Pd4Br4Te3. Ergebnisse von extended-Hückel-Rechnungen lieferten Einblicke in Charakteristika der Elektronenstruktur der Verbindungen.
Physical Description:139 Pages
DOI:10.17192/z2009.0085