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Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen
In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...
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| Формат: | Dissertation |
| Язык: | немецкий |
| Опубликовано: |
Philipps-Universität Marburg
2007
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| Предметы: | |
| Online-ссылка: | PDF-полный текст |
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