Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen
In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...
Gardado en:
Autor Principal: | |
---|---|
Outros autores: | |
Formato: | Dissertation |
Idioma: | alemán |
Publicado: |
Philipps-Universität Marburg
2007
|
Schlagworte: | |
Acceso en liña: | Texto completo PDF |
Tags: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|