Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen

In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: Güngerich, Martin
Beste egile batzuk: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (Tesi aholkularia)
Formatua: Dissertation
Hizkuntza:alemana
Argitaratua: Philipps-Universität Marburg 2007
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:PDF testu osoa
Etiketak: Etiketa erantsi
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