Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen
In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | |
বিন্যাস: | Dissertation |
ভাষা: | জার্মান |
প্রকাশিত: |
Philipps-Universität Marburg
2007
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|