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Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen
In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...
保存先:
| 第一著者: | |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | Dissertation |
| 言語: | ドイツ語 |
| 出版事項: |
Philipps-Universität Marburg
2007
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | PDFフルテキスト |
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インターネット
PDFフルテキスト| 請求記号: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2008-00765 |
|---|---|
| 出版日付: |
2008-02-20 |
| Datum der Annahme: |
2007-12-18 |
| Downloads: |
92 (2024), 154 (2023), 226 (2022), 163 (2021), 146 (2020), 156 (2019), 136 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| アクセスURL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0076 https://doi.org/10.17192/z2008.0076 |