Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen

Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen

In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...

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Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Güngerich, Martin
Outros autores: Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Formato: Dissertation
Idioma:alemán
Publicado: Philipps-Universität Marburg 2007
Schlagworte:
Dilute nitride
Isoelektronische Störstelle
Optische Spektroskopie
Verdünnt-stickstoffhaltige III-V Halbleiter
GaNAs
Störstellenniveau
GaNP
Halbleiter
Stickstoff
Mischkristall
Physik
Bandbildung
Band formation
III-V compound semiconductor
Physics
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Número de Clasificación: urn:nbn:de:hebis:04-z2008-00765
Data de Publicación: 2008-02-20
Datum der Annahme: 2007-12-18
Downloads: 92 (2024), 154 (2023), 226 (2022), 163 (2021), 146 (2020), 156 (2019), 136 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL de acceso: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0076
https://doi.org/10.17192/z2008.0076

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