Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen
In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...
Tallennettuna:
Päätekijä: | |
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Muut tekijät: | |
Aineistotyyppi: | Dissertation |
Kieli: | saksa |
Julkaistu: |
Philipps-Universität Marburg
2007
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Aiheet: | |
Linkit: | PDF-kokoteksti |
Tagit: |
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Internet
PDF-kokotekstiHyllypaikka: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2008-00765 |
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Julkaisupäivä: |
2008-02-20 |
Datum der Annahme: |
2007-12-18 |
Downloads: |
92 (2024), 154 (2023), 226 (2022), 163 (2021), 146 (2020), 156 (2019), 136 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
Linkki aineistoon: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0076 https://doi.org/10.17192/z2008.0076 |