Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikroskopisch analysiert wurden. Aufgrund der metastabilen...

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Sábháilte in:
Sonraí bibleagrafaíochta
Príomhchruthaitheoir: Oberhoff, Stefan
Rannpháirtithe: Stolz, Wolfgang (Dr.) (Comhairleoir tráchtais)
Formáid: Dissertation
Teanga:Gearmáinis
Foilsithe / Cruthaithe: Philipps-Universität Marburg 2007
Ábhair:
Ga(NAsP)
Physik
Atomic force microscopy (AFM)
Low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale systems: structure and nonelectronic properties (for structure of nanoscale materials, see 61.46.+w; for magnetic properties of interfaces, see 75.70.Cn; for superconducting properties, see 74.78.-w; for optical properties, see 78.67.-n; for transport properties, see 73.63.-b) ... ... Growth of low-dimensional structures, see 81.16.-c
(GaIn)(NAsSb)
(GaIn)(NAs)
Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films
Dilute nitride compound semiconductors
Grenzflächenaktiver Stoff
Selektives Ätzen
III-V semiconductors
Verdünnt stickstoffhaltige III/V-Halbleiter
Heterostruktur
Semiconductor lasers; laser diodes
Halbleitergrenzfläche
Metastabilität
Halbleiter
Innere Grenzflächen
Interior interfaces
Drei-Fünf-Halbleiter
Physics
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Sonraí sealbhúcháin ó
Gairmuimhir: urn:nbn:de:hebis:04-z2008-00700
Dáta a fhoilsithe: 2008-02-20
Datum der Annahme: 2007-12-03
Downloads: 34 (2024), 77 (2023), 87 (2022), 80 (2021), 88 (2020), 163 (2019), 85 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL Rochtana: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0070
https://doi.org/10.17192/z2008.0070

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