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Transiente Ladungsträgerdynamik und optische Verstärkung in III-V-Halbleitern

Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Dynamik der optischen Verstärkung auf Grund intrinsischer Verluste in (GaIn)As und zum ersten Mal auch in dem neuartigen verdünnten Nitrid (GaIn)(NAs) untersucht. Es konnte gezeigt werden, dass die Zeitskalen des Abbaus der Verstärkung durch intrinsische Verluste be...

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Збережено в:
Автор: Borck, Sebastian
Інші автори: Rühle, Wolfgang W. (Prof. Dr.) (Керівник дипломної роботи)
Формат: Dissertation
Мова:Німецька
Опубліковано: Philipps-Universität Marburg 2006
Предмети:
Quantum wells
Drei-Fünf-Halbleiter
III-V semiconductors
Ultrafast phenomena
Nichtlineare Optik
Halbleiterlaser
Transient optical gain
Dynamik
Stimulated emission (see also 42.55.-f Lasers)
Semiconductor laser
Anrege-Abfrage-Spektroskopie
Optischer Gewinn
Time-resolved optical spectroscopies and other ultrafast optical measurements in condensed matter (see also 42.65.Re-in nonlinear optics; 82.53.-k Femtochemistry in physical chemistry and chemical ... ... Impurity and defect absorption in solids, see 78.30.-j and 78.40.-q
Ladungsträger
Physik
Dilute nitrides
Pump-probe spectroscopy
Photolumineszenz
Transiente Absorption
Physics
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Шифр: urn:nbn:de:hebis:04-z2006-05748
Дата публікації: 2006-09-08
Datum der Annahme: 2006-07-06
Downloads: 21 (2025), 90 (2024), 86 (2023), 131 (2022), 168 (2021), 149 (2020), 131 (2019), 77 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Доступ через URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0574
https://doi.org/10.17192/z2006.0574

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