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Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)
Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...
Sábháilte in:
| Príomhchruthaitheoir: | |
|---|---|
| Rannpháirtithe: | |
| Formáid: | Dissertation |
| Teanga: | Gearmáinis |
| Foilsithe / Cruthaithe: |
Philipps-Universität Marburg
2006
|
| Ábhair: | |
| Rochtain ar líne: | An téacs iomlán mar PDF |
| Clibeanna: |
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Ar líne
An téacs iomlán mar PDF| Gairmuimhir: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2006-00957 |
|---|---|
| Dáta a fhoilsithe: |
2006-04-11 |
| Datum der Annahme: |
2006-01-30 |
| Downloads: |
30 (2024), 53 (2023), 57 (2022), 17 (2021), 15 (2020), 19 (2019), 10 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| URL Rochtana: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0095 https://doi.org/10.17192/z2006.0095 |