Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: Nau, Siegfried
Beste egile batzuk: Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (Tesi aholkularia)
Formatua: Dissertation
Hizkuntza:alemana
Argitaratua: Philipps-Universität Marburg 2004
Gaiak:
inhomogene Verspannung
Laserdiode
VCSEL-Laser
(GaIn)(NAs)
Metastabilität
Gallium Indium Arsenide Nitride
Drei-Fünf-Halbleiter
UDMHy
Inhomogeneous strain
Lithographie <Halble
innere Grenzflächen
Epitaxie
Interior interfaces
Physik
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
Gallium Indium Arsenid Nitrid
Physics
Sarrera elektronikoa:PDF testu osoa
Etiketak: Etiketa erantsi
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Internet

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Aleari buruzko argibideak
Sailkapena: urn:nbn:de:hebis:04-z2005-00841
Argitaratze data: 2005-04-07
Datum der Annahme: 2004-06-15
Downloads: 79 (2024), 131 (2023), 180 (2022), 246 (2021), 203 (2020), 320 (2019), 178 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL sarbidea: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0084
https://doi.org/10.17192/z2005.0084

Antzeko izenburuak