Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)

In der vorliegenden Arbeit wurden grundlegende physikalische Eigenschaften der metastabilen Halbleitersysteme Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As) vorgestellt. Es werden die großen Veränderungen der optischen Eigenschaften durch den Einbau von Stickstoff beschrieben. Durch den großen Unterschied in Elektroneg...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Grüning, Heiko
Beteiligte:	Heimbrodt, Wolfram (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format:	Dissertation
Sprache:	Deutsch
Veröffentlicht:	Philipps-Universität Marburg 2004
Schlagworte:	Quantum wells GaNAs Bandformation Bandbildung Physik Optische Spektroskopie III-V semiconductors Störstelle GaInNAs Galliumarsenid-Bauelement Semiconductors Halbleiterphysik Stickstoff Physics
Online-Zugang:	PDF-Volltext
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