Investigation of light-induced defects in hydrogenated amorphous silicon by low temperature annealing and pulsed degradation

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Heck, Stephan
Formato: Dissertation
Lenguaje:inglés
Publicado: Philipps-Universität Marburg 2002
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Número de Clasificación: urn:nbn:de:hebis:04-z2002-04083
Fecha de Publicación: 2003-08-06
Datum der Annahme: 2002-11-04
Downloads: 42 (2024), 71 (2023), 39 (2022), 38 (2021), 29 (2020), 45 (2019), 31 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL de Acceso: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2002/0408
https://doi.org/10.17192/z2002.0408