Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen

Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen

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Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsman: Will, Stephan
Materialtyp: Dissertation
Språk:tyska
Publicerad: Philipps-Universität Marburg 2004
Ämnen:
Dünne Schicht , PECVD-Verfahren
Armorpher Halbleiter , Wasserstoff
Physik
Silicium
Physics
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Beståndsuppgifter i
Signum: urn:nbn:de:hebis:04-z1998-00012
Utgivningstid: 2004-03-16
Datum der Annahme: 1997-12-15
Downloads: 35 (2024), 63 (2023), 65 (2022), 85 (2021), 69 (2020), 64 (2019), 5 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Länk till materialet: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z1998/0001
https://doi.org/10.17192/z1998.0001

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