Growth Dynamics and Morphology of GaP Nanowires investigated via Transmission Electron Microscopy

Growth Dynamics and Morphology of GaP Nanowires investigated via Transmission Electron Microscopy

In this work, the growth of GaP nanowires is demonstrated. Self-catalyzed nanowires were grown in a conventional MOVPE reactor by predeposition of Ga droplets by group III precursor preflow. Several growth series demonstrate the control over the morphology of the nanowires. Nanowire diameter can be...

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Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Krug, David Peter
Muut tekijät: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Aineistotyyppi: Dissertation
Kieli:englanti
Julkaistu: Philipps-Universität Marburg 2023
Aiheet:
Semiconductor
kinks
Physik
Nanowire
indem Ga Tropfen durch einen Fluss von Gruppe III Präkursor vor dem Wachst
MOVPE
VLS
In this work
growth dynamics
in-situ
GaP
In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von GaP Nanodrähten demonstriert. Dabei wurden selbstkatalysierte Nanodrähte in einem konventionellen MOVPE Reaktor gewachsen
the growth of GaP nanowires is demonstrated. Self-catalyzed nanowires were grown in a conventional MOVPE reactor by predeposition of Ga droplets by group III precursor preflow. Several growth series demonstrate the control over the mor
TEM
Physics
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Saatavuus:
Hyllypaikka: urn:nbn:de:hebis:04-z2024-00791
Julkaisupäivä: 2024-03-20
Datum der Annahme: 2023-12-15
Downloads: 46 (2024)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0
Linkki aineistoon: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2024/0079
https://doi.org/10.17192/z2024.0079

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