Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications
In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...
Сохранить в:
Главный автор: | |
---|---|
Другие авторы: | |
Формат: | Dissertation |
Язык: | английский |
Опубликовано: |
Philipps-Universität Marburg
2022
|
Предметы: | |
Online-ссылка: | PDF-полный текст |
Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Ваш комментарий будет первым!