Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Lehr, Jannik
Другие авторы: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Научный руководитель)
Формат: Dissertation
Язык:английский
Опубликовано: Philipps-Universität Marburg 2022
Предметы:
Online-ссылка:PDF-полный текст
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!