Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Lehr, Jannik
Kolejni autorzy: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Promotor doktoranta)
Format: Dissertation
Język:angielski
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2022
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:PDF pełnotekstowe
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!