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Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications
In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...
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| मुख्य लेखक: | |
|---|---|
| अन्य लेखक: | |
| स्वरूप: | Dissertation |
| भाषा: | अंग्रेज़ी |
| प्रकाशित: |
Philipps-Universität Marburg
2022
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| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | पीडीएफ पूर्ण पाठ |
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