Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

Description complète

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteur principal: Lehr, Jannik
Autres auteurs: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (Directeur de thèse)
Format: Dissertation
Langue:anglais
Publié: Philipps-Universität Marburg 2022
Sujets:
Accès en ligne:Texte intégral en PDF
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!