Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications
In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...
Uloženo v:
Hlavní autor: | |
---|---|
Další autoři: | |
Médium: | Dissertation |
Jazyk: | angličtina |
Vydáno: |
Philipps-Universität Marburg
2022
|
Témata: | |
On-line přístup: | Plný text ve formátu PDF |
Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!