Epitaxial growth and characterization of dilute nitride based “W”-quantum well heterostructures for laser applications

In this present thesis, the growth by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaAs-based materials is investigated to shift the emission wavelength to longer wavelengths. This was addressed by incorporating dilute amounts of nitrogen into “W” type-II heterostructures (WQWH). As materials, studi...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Lehr, Jannik
مؤلفون آخرون: Stolz, Wolfgang (Prof. Dr.) (مرشد الأطروحة)
التنسيق: Dissertation
اللغة:الإنجليزية
منشور في: Philipps-Universität Marburg 2022
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:PDF النص الكامل
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!