Epitaxial Growth of Highly Mismatched Alloys on GaAs Substrates

Epitaxial Growth of Highly Mismatched Alloys on GaAs Substrates

Die globale Erwärmung der Erde verlangt eine Reduktion unseres Energieverbrauchs und einen Wechsel der Energiequellen hin zu erneuerbaren Energien. Der Stromverbrauch des Internets liegt 2020 bei etwa 10 % des globalen Strombedarfs mit steigender Tendenz. Eines der Probleme ist die geringe Effizienz...

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Hepp, Thilo
Otros Autores: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Orientador)
Formato: Dissertation
Lenguaje:alemán
Publicado: Philipps-Universität Marburg 2022
Materias:
Physik
Semiconductors Laser MOVPE
Halbleiter Laser MOVPE
Physics
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Número de Clasificación: urn:nbn:de:hebis:04-z2022-00760
Fecha de Publicación: 2022-02-17
Datum der Annahme: 2021-12-20
Downloads: 101 (2024), 133 (2023), 88 (2022)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0
URL de Acceso: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2022/0076
https://doi.org/10.17192/z2022.0076

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