Epitaxial Growth of Highly Mismatched Alloys on GaAs Substrates

Epitaxial Growth of Highly Mismatched Alloys on GaAs Substrates

Die globale Erwärmung der Erde verlangt eine Reduktion unseres Energieverbrauchs und einen Wechsel der Energiequellen hin zu erneuerbaren Energien. Der Stromverbrauch des Internets liegt 2020 bei etwa 10 % des globalen Strombedarfs mit steigender Tendenz. Eines der Probleme ist die geringe Effizienz...

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Spremljeno u:
Bibliografski detalji
Glavni autor: Hepp, Thilo
Daljnji autori: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Savjetnik disertacije)
Format: Dissertation
Jezik:njemački
Izdano: Philipps-Universität Marburg 2022
Teme:
Physik
Semiconductors Laser MOVPE
Halbleiter Laser MOVPE
Physics
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Detalji primjeraka od
Signatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2022-00760
Datum izdanja: 2022-02-17
Datum der Annahme: 2021-12-20
Downloads: 125 (2024), 133 (2023), 88 (2022)
Lizenz: https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0
URL pristupa: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2022/0076
https://doi.org/10.17192/z2022.0076

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