In Situ Thermal Annealing and Growth Investigations on III/V Semiconductor Materials

In Situ Thermal Annealing and Growth Investigations on III/V Semiconductor Materials

In order to handle toxic and phyrophoric precursors inside a TEM and therefore facilitate group V stabilized thermal annealing experiments, significant changes of the original in situ system (designed and produced by Protochips) are necessary. To further ensure safely when storing and transfering th...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автор: Straubinger, Rainer
Інші автори: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Керівник дипломної роботи)
Формат: Dissertation
Мова:англійська
Опубліковано: Philipps-Universität Marburg 2018
Предмети:
in situ
Kristallwachstum, Thermisches Aufheizen,
Halbleiter
crystal growth
Thermal annealing
III/V semiconductor
In Situ
Physik
Semiconductor materials
Halbleiterphysik
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskopie
Physics
Онлайн доступ:PDF-повний текст
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
No references were found for this record.

Схожі ресурси