In Situ Thermal Annealing and Growth Investigations on III/V Semiconductor Materials

In Situ Thermal Annealing and Growth Investigations on III/V Semiconductor Materials

In order to handle toxic and phyrophoric precursors inside a TEM and therefore facilitate group V stabilized thermal annealing experiments, significant changes of the original in situ system (designed and produced by Protochips) are necessary. To further ensure safely when storing and transfering th...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Straubinger, Rainer
Další autoři: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Vedoucí práce)
Médium: Dissertation
Jazyk:angličtina
Vydáno: Philipps-Universität Marburg 2018
Témata:
in situ
Kristallwachstum, Thermisches Aufheizen,
Halbleiter
crystal growth
Thermal annealing
III/V semiconductor
In Situ
Physik
Semiconductor materials
Halbleiterphysik
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskopie
Physics
On-line přístup:Plný text ve formátu PDF
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
No references were found for this record.

Podobné jednotky