Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Popoln opis

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Glavni avtor: Wegele, Tatjana
Drugi avtorji: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Jezik:angleščina
Izdano: Philipps-Universität Marburg 2016
Teme:
Physik
Ga(NAsP)
hochauflösende STEM
laser on Si
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Halbleiterlaser
compositional fluctuation
Laser auf Si
Grenzflächenmorphologie
interface morphology
Zusammensetzungsfluktuation
high-resolution STEM
Physics
Online dostop:PDF-Volltext
Oznake: Označite
Brez oznak, prvi označite!
No references were found for this record.

Podobne knjige/članki