Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Descrizione completa

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autore principale: Wegele, Tatjana
Altri autori: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Relatore della tesi)
Natura: Dissertation
Lingua:inglese
Pubblicazione: Philipps-Universität Marburg 2016
Soggetti:
Physik
Ga(NAsP)
hochauflösende STEM
laser on Si
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Halbleiterlaser
compositional fluctuation
Laser auf Si
Grenzflächenmorphologie
interface morphology
Zusammensetzungsfluktuation
high-resolution STEM
Physics
Accesso online:PDF Full Text
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
No references were found for this record.

Documenti analoghi