Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

पूर्ण विवरण

में बचाया:
ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखक: Wegele, Tatjana
अन्य लेखक: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (शोध सलाहकार)
स्वरूप: Dissertation
भाषा:अंग्रेज़ी
प्रकाशित: Philipps-Universität Marburg 2016
विषय:
ऑनलाइन पहुंच:पीडीएफ पूर्ण पाठ
टैग: टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!