Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy
Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...
में बचाया:
मुख्य लेखक: | |
---|---|
अन्य लेखक: | |
स्वरूप: | Dissertation |
भाषा: | अंग्रेज़ी |
प्रकाशित: |
Philipps-Universität Marburg
2016
|
विषय: | |
ऑनलाइन पहुंच: | पीडीएफ पूर्ण पाठ |
टैग: |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
No references were found for this record.