Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Description complète

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteur principal: Wegele, Tatjana
Autres auteurs: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Directeur de thèse)
Format: Dissertation
Langue:anglais
Publié: Philipps-Universität Marburg 2016
Sujets:
Physik
Ga(NAsP)
hochauflösende STEM
laser on Si
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Halbleiterlaser
compositional fluctuation
Laser auf Si
Grenzflächenmorphologie
interface morphology
Zusammensetzungsfluktuation
high-resolution STEM
Physics
Accès en ligne:Texte intégral en PDF
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
No references were found for this record.

Documents similaires