Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: Wegele, Tatjana
Beste egile batzuk: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Tesi aholkularia)
Formatua: Dissertation
Hizkuntza:ingelesa
Argitaratua: Philipps-Universität Marburg 2016
Gaiak:
Physik
Ga(NAsP)
hochauflösende STEM
laser on Si
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Halbleiterlaser
compositional fluctuation
Laser auf Si
Grenzflächenmorphologie
interface morphology
Zusammensetzungsfluktuation
high-resolution STEM
Physics
Sarrera elektronikoa:PDF testu osoa
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
No references were found for this record.

Antzeko izenburuak