Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy
Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...
Wedi'i Gadw mewn:
Prif Awdur: | |
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Awduron Eraill: | |
Fformat: | Dissertation |
Iaith: | Saesneg |
Cyhoeddwyd: |
Philipps-Universität Marburg
2016
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Pynciau: | |
Mynediad Ar-lein: | Testun PDF llawn |
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