Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy

Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...

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Dades bibliogràfiques
Autor principal: Wegele, Tatjana
Altres autors: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Assessor de tesis)
Format: Dissertation
Idioma:anglès
Publicat: Philipps-Universität Marburg 2016
Matèries:
Physik
Ga(NAsP)
hochauflösende STEM
laser on Si
Raster-Transmissions-Elektronenmikroskop
Halbleiterlaser
compositional fluctuation
Laser auf Si
Grenzflächenmorphologie
interface morphology
Zusammensetzungsfluktuation
high-resolution STEM
Physics
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