Microstructural Characterization of Dilute N-Containing Semiconductor Alloys and Heterostructures by Scanning Transmission Electron Microscopy
Für die Realisierung einer hoch effizienten Lichtquelle in den integrierten Schaltkreisen auf Silizium wurden Ga(NAsP)-Quantum-Wells (QWs) in den Multi-Quantum-Well-Heterostrukturen (MQWH) mittels Rastertransmissionselektronenmikroskopie (STEM) untersucht. Die MQWH wurden auf Si (001) mittels der m...
Na minha lista:
Autor principal: | |
---|---|
Outros Autores: | |
Formato: | Dissertation |
Idioma: | inglês |
Publicado em: |
Philipps-Universität Marburg
2016
|
Assuntos: | |
Acesso em linha: | Texto integral em PDF |
Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
No citations were found for this record.